特許
J-GLOBAL ID：200903067365479650
半導体用絶縁膜または平坦化膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135212
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体の絶縁膜、平坦化膜を形成するのに、特に1〜2回の塗布により得られたSOG塗膜の形状が、エッチバック条件の最適化が可能な範囲にあり、且つ絶対段差が少ない「完全平坦化」レベルを有することまで改善された層間絶縁膜を得る。【構成】 加熱硬化させたSOG塗膜の形状が、微細配線上/幅広配線上の膜厚比が0.7〜1.0、幅の広いスペース部を含めた絶対段差の膜厚比が0.5〜1.0となる一般式(1)で示されるポリメチルシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 はメチル基、R2 は炭素数1〜4のアルキル基及び/または水素原子を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を使用した半導体用絶縁膜または平坦化膜。
請求項（抜粋）：
半導体パターン上に下記一般式(1)で示されるポリメチルシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 はメチル基を、R2 は炭素数1〜4のアルキル基及び/または水素原子を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を塗布し加熱硬化させた塗膜であって幅広配線上の膜厚に対する微細配線上の膜厚が0.7〜1.0であり絶対段差の膜厚比が0.5〜1.0であることを特徴とする半導体用絶縁膜または平坦化膜。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, C09D183/04 PMS
, H01B 3/46
, H01L 21/312
