配線、これを含む薄膜トランジスタ基板、及びその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-276945
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134691
出願日： 2006年10月10日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】配線、これを含む薄膜トランジスタ基板、及びその製造方法が開示される。【解決手段】本発明の一実施例による配線は、下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された中間膜、及び前記中間膜上に形成されたキャッピング膜を含むか、又は下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された第1中間膜、前記第1中間膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された第2中間膜、及び前記第2中間膜上に形成されたキャッピング膜を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部構造物上に形成されたバリア膜と、前記バリア膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、前記銅導電膜上に形成された中間膜と、前記中間膜上に形成されたキャッピング膜と、を含むことを特徴とする配線。

IPC (3件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L21/88 A , H01L29/78 612C , H01L29/78 616U , H01L29/78 617L , H01L21/88 B

Fターム (65件)：

5F033GG03 , 5F033HH12 , 5F033HH20 , 5F033HH22 , 5F033HH32 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM19 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX17 , 5F033XX18 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

積層構造配線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-332485 出願人：鹿児島日本電気株式会社
液晶ディスプレイ画素アレイのための、銅金属配線を用いた多結晶シリコンTFTを形成する方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-121367 出願人：シャープ株式会社
配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-396843 出願人：三星電子株式会社

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