特許

J-GLOBAL ID：200903067492133470

半導体装置およびその製造方法

発明者： 岩崎 正修 ,  塚本 克博 ,  前川 和義
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177987
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037979
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 絶縁層で隔てられた多層配線間の接続をT字型プラグにより行う装置の構造とその製造方法。【構成】(1)絶縁層に形成された開口と絶縁層上にCVD法でタングステン層を形成し、このタングステン層をハーフエッチバックした後パターニングして形成したT字型プラグ。(2)上記開口と絶縁層上にAl層を形成した後、このAl層を加熱してリフローさせ平坦化し、これをパターニングして形成したT字型プラグ。以上の方法により断線のない接続構造が得られると共にプラグ表面が平坦なので、プラグ上に他のプラグが形成でき、高密度実装が可能となる。

請求項（抜粋）：

導体層と、前記導体層上に設けられた絶縁層と、この絶縁層に設けられた開口と、前記開口内に充填されて前記導体層に接続されるとともに前記絶縁層上に延在する断面T字型プラグよりなる配線層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-301810   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平4-100234
  
• 特開平4-034923