特許
J-GLOBAL ID：200903067499001749

固体撮像装置

発明者：
小林 昌弘

小林 昌弘 について

, 
山下 雄一郎

山下 雄一郎 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-101560
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253150
出願日： 2008年04月09日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】 VOFD機能を使用した際にも、蓄積電荷量の変化を抑制し、高画質な撮像を行うことを目的とする。【解決手段】 本発明は、基板電位を制御して電子シャッタを行なう固体撮像装置であって、光電変換部を構成する第1導電型の第1の半導体領域と、光電変換部とは別に設けられ、電荷を蓄積する第1導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域の下部に配され、ポテンシャル障壁となる第2導電型の第3の半導体領域と、第1の半導体領域と半導体基板との間及び第3の半導体領域と半導体基板との間配された第2導電型の第4の半導体領域と、第3の半導体領域へ電圧を供給する第1の電圧供給部と、を有し、第1の電圧供給部は、画素領域内に配された、第2導電型の第5の半導体領域及び該第5の半導体領域に接続された第1の電極を含んでいる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光電変換部と該光電変換部で生成された信号電荷に基づく信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む画素が複数配された画素領域が第1導電型の半導体基板に配され、該半導体基板の電位を制御することにより電子シャッタ動作を行なう固体撮像装置であって、 前記光電変換部の一部を構成する第1導電型の第1の半導体領域と、 前記光電変換部とは別に設けられ、前記第1の半導体領域で生成した電荷を蓄積する第1導電型の第2の半導体領域と、 前記第2の半導体領域の下部に配され、該第2の半導体領域の蓄積電荷に対するポテンシャル障壁として機能する第2導電型の第3の半導体領域と、 前記第1の半導体領域と前記半導体基板との間及び前記第3の半導体領域と前記半導体基板との間に延在して配された第2導電型の第4の半導体領域と、 前記第3の半導体領域へ基準電圧を供給するための第1の電圧供給部と、を有し、 該第1の電圧供給部は、前記画素領域に配された、第2導電型の第5の半導体領域及び該第5の半導体領域に接続された第1の電極を含んで構成されることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (14件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA38 ,  4M118GA10
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-400051   出願人：キヤノン株式会社
  • 増幅型固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-195499   出願人：株式会社ニコン

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