特許
J-GLOBAL ID：200903067508033055
サイドゲート型有機FET及び有機EL
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 良平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086669
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282884
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 移動度の遅い有機半導体アモルファス薄膜を用いても実用に堪えうる有機FETを提供する。また、周辺のトランジスタが不要であり、且つ、大きな開口率をとることのできる有機EL素子を提供する。【解決手段】 サイドゲート型有機FETとする。すなわち、基板11上にゲート電極12を立設し、同じく基板上に有機半導体から成るキャリヤ移動層14を積層する。キャリヤ移動層14は、絶縁膜13を介してゲート電極12に接するようにする。そして、キャリヤ移動層14の上下にソース電極層15とドレイン電極層16を積層する。また、有機ELは、基板上に2つの制御電極を立設し、同じく基板上に、有機半導体発光層を積層して、絶縁層を介して両制御電極に接するようにする。発光層の上下には注入電極層を積層する。両制御電極に異なる極性の電圧を印加することにより、正孔及びキャリヤが発光層内で再結合し、発光が生ずる。
請求項（抜粋）：
a)基板上に立設されたゲート電極と、b)絶縁膜を介して上記ゲート電極に接するように配置された、有機半導体から成るキャリヤ移動層と、c)上記キャリヤ移動層の上下に配置された、ソース電極層とドレイン電極層と、を備えることを特徴とするサイドゲート型有機FET。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 51/00
, H05B 33/14
H05B 33/14 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
, H01L 29/78 626 A
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 5F110AA07
, 5F110BB01
, 5F110CC09
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE27
, 5F110EE30
, 5F110FF22
, 5F110GG05
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK07
