特許

J-GLOBAL ID：200903067517239138

半導体製造装置

発明者： 白木 靖寛 ,  深津 晋 ,  木山 洋実 ,  奥村 健治 ,  奥 秀彦
出願人/特許権者： 大同酸素株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101864
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275347
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】基板を回転することなく、膜の高い均一性が得られる半導体製造装置を提供する。【構成】真空室1内において、基板2の下方に設けられる反応ガス拡散室43と、上記反応ガス拡散室43の天井部に所定間隔で分布形成される複数の開口と、先端が上記反応ガス拡散室内に延びている第1の反応ガス供給管44と、上記第1の反応ガス供給管44の先端部周壁に形成された数個の吹出口44bと、上記第1の反応ガス供給管44の先端部の上方に設けられる水平拡散板48と、上記真空室1内において上記反応ガス拡散室の下側に設けられる第2の反応ガス拡散室41と、上記第2の反応ガス拡散室41の天井部から上記反応ガス拡散室43の各開口に延びその開口の口壁との間に隙間ができるよう位置決めされている複数の連通管40cと、上記第2の反応ガス拡散室41に第2の反応ガスを供給する第2の反応ガス供給管42とを備えている。

請求項（抜粋）：

高度に真空になし得る真空室と、上記真空室内の略中央に装着される基板と、上記真空室内において上記基板の下方に設けられる反応ガス拡散室と、上記反応ガス拡散室の天井部に所定間隔で分布形成される複数の開口と、先端が上記反応ガス拡散室内に延びている第1の反応ガス供給管と、上記第1の反応ガス供給管の先端部周壁に形成された数個の吹出口と、上記第1の反応ガス供給管の先端部の上方に設けられる水平拡散板と、上記真空室内において上記反応ガス拡散室の下側に設けられる第2の拡散室と、上記第2の拡散室の天井部から上記反応ガス拡散室の各開口に延びその開口の口壁との間に隙間ができるよう位置決めされている複数の連通管と、上記第2の拡散室に第2の反応ガスを供給する第2の反応ガス供給管とを備えていることを特徴とする半導体製造装置。