特許
J-GLOBAL ID：200903067544917156
回路シミュレーション方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高松 猛
, 市川 利光
, 橋本 公秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-374205
公開番号（公開出願番号）：特開2006-178907
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】素子分離用絶縁膜の幅の異なるトランジスタのモデルを作成し、微細化された集積回路の設計に有用な回路シミュレーション装置およびモデル化方法を提供する。【解決手段】本発明では分離幅依存パラメータ補正手段4において、素子分離用絶縁膜幅依存性を有するパラメータの近似式を作成し、作成した近似式を用いて得られた補正パラメータの値を元のパラメータの値と置き換えることにより、素子分離用絶縁膜幅の異なるトランジスタのトランジスタモデルを作成する。これにより、より実測データに近い応力によるトランジスタ特性の変化を考慮に入れた、精度の高い回路シミュレーションが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1つのトランジスタを含む集積回路のモデル化方法であって、
前記集積回路に含まれるトランジスタの素子分離用絶縁膜幅のサイズデータを取得するステップと、
前記素子分離用絶縁膜幅の式で表される分離幅パラメータYeffを定義し、所定の分離幅パラメータのトランジスタモデルに対して、分離幅パラメータに依存して値が変化する分離幅依存パラメータについての近似式を作成するステップと、
前記トランジスタモデルとは分離幅パラメータが異なるトランジスタモデルについての分離幅依存パラメータの補正値を前記近似式より求めるステップと、
前記所定の分離幅パラメータのトランジスタに基づくトランジスタモデルと、前記近似式により補正された分離幅依存パラメータに基づくトランジスタモデルとを置き換えるステップと、
前記補正された分離幅依存パラメータに基づくトランジスタモデルを用い、素子分離用絶縁膜幅依存性を考慮に入れた回路シミュレーションを実行するステップと、
を含む回路シミュレーション方法。
IPC (3件)：
G06F 17/50
, H01L 29/00
, H01L 21/76
G06F17/50 662G
, G06F17/50 666L
, H01L29/00
, H01L21/76 Z
5B046AA08
, 5B046BA03
, 5B046JA04
, 5F032AA35
, 5F032CA16
