特許
J-GLOBAL ID：200903067545354929
垂直磁気記録媒体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-016392
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209303
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 SNRの向上、磁化の安定性と磁気ヘッドでの書きこみ易さとを両立させた多層膜垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】 垂直磁気記録媒体は、非磁性基板1上に、軟磁性層(CoZrNb)2と、第1下地層(Ta層)31と、第2下地層(Niを主成分とする層)32と、第3下地層(Ru層)33と、Co-SiO2とPd-SiO2との交互に積層させた多層膜の下層垂直磁性層4と、CoとPd-SiO2またはCoとPd(あるいはCoとPt)との交互に積層させた多層膜の上層垂直磁性層5と、C保護層6とを積層した構造を有し、上層垂直磁性層は下層垂直磁性層に比べて大きい垂直磁気異方性、大きい保磁力、大きい反転磁区形成磁界を有する。垂直磁気異方性定数が、下層垂直磁性層は2×106erg/cc以下で、上層垂直磁性層は2×106erg/cc以上7×106erg/cc以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非磁性基板上に少なくとも軟磁性層、下地層、垂直磁性層、保護膜が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、
前記垂直磁性層は前記下地層と接する下層垂直磁性層とその上に形成される上層垂直磁性層からなり、
前記下層垂直磁性層はCoにSiO2を添加したCo-SiO2層とPdにSiO2を添加したPd-SiO2層との交互に積層された人工格子を形成している多層膜であり、
前記上層垂直磁性層はCo層とPdにSiO2を添加したPd-SiO2層、またはCo層とPd層との交互に積層された人工格子を形成している多層膜であり、
前記上層垂直磁性層は前記下層垂直磁性層に比べて大きい垂直磁気異方性、大きい保磁力、大きい反転磁区形成磁界を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (6件)：
G11B5/66
, G11B5/64
, G11B5/65
, G11B5/667
, G11B5/673
, G11B5/738
G11B5/66
, G11B5/64
, G11B5/65
, G11B5/667
, G11B5/673
, G11B5/738
5D006BB01
, 5D006BB07
, 5D006BB08
, 5D006CA01
, 5D006CA05
, 5D006CA06
, 5D006DA08
