特許
J-GLOBAL ID：200903067549640268
絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126618
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312333
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 フッ化酸化シリコンからなる低誘電率の絶縁膜は、耐透水性が低く水分の侵入によるトランジスタ特性の劣化を防止できない。【解決手段】 配線13が設けられた基板11上に配線13間を埋め込む絶縁膜14を形成する方法であって、高密度にプラズマが生成された雰囲気内における化学的気相成長法によって、基板11上に酸化シリコンからなる下地絶縁膜14aを成膜する。次に、下地絶縁膜14a上に、配線13間を埋め込む状態でフッ化酸化シリコンからなる上層絶縁膜14bを成膜する。そして、下地絶縁膜14aと上層絶縁膜14bとからなる絶縁膜14を形成する。
請求項（抜粋）：
配線が設けられた基板上に当該配線間を埋め込む絶縁膜を形成する方法であって、高密度のプラズマが生成された雰囲気における化学的気相成長法によって、前記基板上に酸化シリコンまたは低濃度でフッ素を含有する酸化シリコンからなる下地絶縁膜を成膜し、前記下地絶縁膜上に、前記配線間を埋め込む状態でフッ化酸化シリコンからなる上層絶縁膜を成膜すること、を特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/31
, H01L 21/316
H01L 21/90 M
, H01L 21/31 C
, H01L 21/316 X
, H01L 21/95
