特許
J-GLOBAL ID：200903067593477382
固体撮像装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-113399
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302836
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】通常のMOSロジック製造方法の工程と共通化し、製造工程を短く、マスク枚数を少なくしたMOS型固体撮像装置の製造方法を提供する。 【解決手段】フォトダイオード及び画素内トランジスタを含む感光領域と、感光領域に電圧パルスを供給するタイミング回路と形成する。MOSトランジスタ100bをすべてN型MOSトランジスタとして、P型不純物領域であるPウェル部102に、ゲート部103とN型不純物領域からなるソース、ドレイン部106とを配置して形成し、Pウェル部内部にはコンタクトを取るためのP型不純物領域109を形成し、フォトダイオード部100aには、半導体基板表面から裏面に向かってP型不純物領域108、N型不純物領域104、及びP型不純物領域102を順に配置する。N型MOSトランジスタの不純物領域を形成するための注入工程とフォトダイオード部の不純物領域を形成するための注入工程とを、一部同時に行う。【選択図】 図1D
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と、前記感光領域に必要な電圧パルスを供給するタイミング回路とを備え、前記各単位画素には、入射光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードで得られた信号を転送または増幅するための画素内トランジスタとが含まれるMOS型撮像装置の製造方法において、
前記感光領域及び前記タイミング回路のMOSトランジスタをすべてN型MOSトランジスタとして、P型不純物領域であるPウェル部に、ゲート部と、N型不純物領域からなるソース部及びドレイン部とを配置することにより形成し、前記Pウェル部内部には前記Pウェル部のコンタクトを取るためのP型不純物領域を形成し、前記フォトダイオード部には、前記半導体基板表面から裏面に向かってP型不純物領域、N型不純物領域、及びP型不純物領域を順に配置し、
前記N型MOSトランジスタの不純物領域を形成するための注入工程と前記フォトダイオード部の不純物領域を形成するための注入工程とを、一部同時に行うことを特徴とするMOS型固体撮像装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA06
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA08
, 4M118FA33
