絶縁ゲート型半導体素子のゲート制御回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142549
公開番号（公開出願番号）：特開2000-333441
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、絶縁ゲート型半導体素子のデッドタイムを短縮して高周波でスイッチング動作させることができ、PWMインバータ装置などの電力変換装置において信頼性の高い絶縁ゲート型半導体素子のゲート制御回路を提供する。【解決手段】本発明は、コンデンサ17と半導体スイッチSW3の直列回路を絶縁ゲート型半導体素子11のゲートGとエミッタE間に接続し、半導体スイッチSW3をスイッチング制御回路13よりドライブ回路16を介してオン・オフ制御する。

請求項（抜粋）：

スイッチング制御回路からの制御信号で直列接続された第1及び第2の半導体スイッチを交互にオンオフさせて、絶縁ゲート型半導体素子のゲート端子とエミッタ端子間に正または負のゲート制御信号を与える絶縁ゲート型半導体素子のゲート制御回路において、前記絶縁ゲート型半導体素子の前記ゲート端子と前記エミッタ端子間に少なくともコンデンサと第3の半導体スイッチとから成る直列回路を設け、前記ゲート制御信号を負に制御する期間のうちの所定時間だけ前記直列回路の半導体スイッチをオンすることを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート制御回路。

Fターム (8件)：

5H740AA04 , 5H740BA11 , 5H740BB06 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740HH06 , 5H740JB02 , 5H740LL02

引用特許：

審査官引用 (3件)

IGBT駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-118345 出願人：富士電機株式会社
電力用半導体素子の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-096225 出願人：東洋電機製造株式会社
特開平2-101956

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