揮発性メモリ装置及びそのリフレッシュ方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336712
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180442
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】消費電流を抑えながらリフレッシュ動作を短縮する。【解決手段】情報を記憶するメモリセルを複数有し、記憶情報をリフレッシュする揮発性メモリ装置において、該揮発性メモリ装置が、それぞれ複数のメモリセルを有する複数のセルアレイ・ブロックと、該メモリセルを選択するデコーダ部とを有する複数のバンク領域と、アドレス信号を供給されるアドレスバッファと、該複数のバンク領域に対応して設けられ、前記アドレスバッファからの出力をそれぞれ供給され、プリデコード信号を対応するバンク領域に供給する複数のプリデコーダとを有し、リフレッシュ動作時に、選択されたバンク領域に対応するプリデコーダが活性化され、当該バンク領域内の複数のセルアレイ・ブロックが同時に選択され、非選択のバンク領域に対応するプリデコーダが非活性化されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

情報を記憶するメモリセルを複数有し、記憶情報をリフレッシュする揮発性メモリ装置において、該揮発性メモリ装置が、それぞれ複数のメモリセルを有する複数のセルアレイ・ブロックと、該メモリセルを選択するデコーダ部とを有する複数のバンク領域と、アドレス信号を供給されるアドレスバッファと、該複数のバンク領域に対応して設けられ、前記アドレスバッファからの出力をそれぞれ供給され、プリデコード信号を対応するバンク領域に供給する複数のプリデコーダとを有し、リフレッシュ動作時に、選択されたバンク領域に対応するプリデコーダが活性化され、当該バンク領域内の複数のセルアレイ・ブロックが同時に選択され、非選択のバンク領域に対応するプリデコーダが非活性化されることを特徴とする揮発性メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-328740 出願人：三菱電機株式会社

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