セルフクリーニングが可能な半導体処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹内澄夫 , 堀明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-096444
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287228
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】効率的且つ清浄な反応炉クリーニングを実施し、反応炉クリーニングが確実に完了したかどうかを検出できるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】セルフクリーニングの可能な半導体処理装置において、反応炉の内壁に設けられた光学窓を通して、該反応炉の内面に向けて単色性の光を照射し、その反射光を受光し、該内面に付着した物質の除去状態を検出する光学装置を備えた半導体処理装置が与えられる。クリーニングが完了したことを的確に検出することで速やかにクリーニングシーケンスを終了させ、生産性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応炉内にクリーニングガスを導入することでセルフクリーニングが可能な半導体処理装置において、前記反応炉の壁面に設けられた光学窓と、前記光学窓を通して前記反応炉の内面に向けて単色性の光を照射し、その反射光を受光し、前記内面に付着した物質の除去状態を検出する光学装置と、を含むことを特徴とする半導体処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , H01L 21/306 , C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/31 C , H01L21/302 101H , C23C16/44 J

Fターム (47件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA03 , 4K030JA13 , 4K030KA17 , 4K030KA30 , 4K030KA39 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 5F004AA15 , 5F004BA03 , 5F004BB03 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004CB09 , 5F004CB15 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA17 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F045AA04 , 5F045AB06 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045DP03 , 5F045EB06 , 5F045EE13 , 5F045EF05 , 5F045EH18 , 5F045GB02

引用特許：

出願人引用 (1件)

真空容器内セルフクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-010524 出願人：株式会社日立製作所

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