特許
J-GLOBAL ID:200903067636686886
セラミック配線基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-366870
公開番号(公開出願番号):特開2001-185824
出願日: 1999年12月24日
公開日(公表日): 2001年07月06日
要約:
【要約】【課題】ガラスセラミックスを絶縁基板とする配線基板において、安定的に平面方向の収縮を制御できるとともに、微細配線化が可能であって、且つ基板の表面状態の良好なガラスセラミック配線基板を得る。【解決手段】焼成後の非晶質成分の含有量が20体積%以上のガラスセラミック組成物からなるグリーンシートを作製し、このグリーンシートの表面に金属成分の含有量が99.5重量%以上の高純度金属導体からなる配線回路層を形成した後、グリーンシートを積層し、その後グリーンシート積層体の少なくとも一方の表面に、難焼結性セラミック材料を主成分とし、且つ非晶質成分を0.5〜15体積%含有する拘束シートを積層して焼成して表面に拘束シートを保持したガラスセラミック基板を作製し、前記拘束シートを除去して、表面のボイド面積占有率が5%以下の配線基板を得る。
請求項(抜粋):
ガラスセラミックスから成り、且つ非晶質成分を20体積%以上含有する絶縁基板の表面および/または内部に、金属成分の含有量が99.5重量%以上の高純度金属導体からなる配線回路層が形成されてなる配線基板であって、前記絶縁基板の最表面におけるボイド面積占有率が5%以下であることを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (4件):
H05K 1/03 610
, C04B 35/495
, H05K 1/09
, H05K 3/46
FI (6件):
H05K 1/03 610 D
, H05K 1/09 A
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 T
, H05K 3/46 S
, C04B 35/00 J
Fターム (49件):
4E351AA07
, 4E351AA12
, 4E351BB30
, 4E351BB49
, 4E351CC17
, 4E351DD01
, 4E351DD04
, 4E351DD05
, 4E351DD06
, 4E351DD10
, 4E351DD19
, 4E351DD20
, 4E351DD54
, 4E351GG11
, 4G030AA07
, 4G030AA08
, 4G030AA10
, 4G030AA17
, 4G030AA32
, 4G030AA35
, 4G030AA36
, 4G030AA37
, 4G030CA08
, 4G030GA14
, 4G030GA15
, 4G030GA20
, 4G030PA21
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA24
, 5E346AA38
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346CC18
, 5E346CC31
, 5E346CC32
, 5E346CC39
, 5E346CC60
, 5E346DD02
, 5E346DD12
, 5E346DD33
, 5E346EE24
, 5E346EE25
, 5E346EE29
, 5E346FF18
, 5E346GG03
, 5E346GG08
, 5E346GG09
, 5E346HH11
引用特許:
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