特許

J-GLOBAL ID：200903067654846882

半導体装置の製造方法

発明者： 久保 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257093
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091278
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜研磨を追加しても酸化膜表面上のキズは完全には除去できず、金属膜プラグの突出が後工程の平坦性に影響を及ぼす。さらに酸化膜研磨用の部材が必要になりコスト高になる。【解決手段】 研磨工程とウェットエッチング工程を組み合わせて金属膜プラグ、または金属配線を形成する半導体装置の製造方法を用いたことで、キズの除去、金属膜プラグの突出を抑制でき、低コストが実現する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、凹凸形状を以って形成された酸化膜を有する半導体装置に対して、該酸化膜上に金属膜を形成し、該金属膜を研磨工程とウエットエッチング工程とを用いて、金属膜プラグまたは金属配線に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 B ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 A

Fターム (19件)：

5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033AA05 ,  5F033AA12 ,  5F033AA66 ,  5F033AA72 ,  5F033BA02 ,  5F033BA12 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA38 ,  5F033EA03 ,  5F033EA23 ,  5F043AA30 ,  5F043BB21 ,  5F043DD10 ,  5F043FF07 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配線構造およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322937   出願人：松下電器産業株式会社
• 気相分解方法および分解装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-088433   出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社