気相分解方法および分解装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088433
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302581
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハの表面のSiO2 膜のエッチングに関し、SiO2 膜のエッチング速度を容易に、かつ安定に制御することが可能な気相分解技術を提供することを目的とする。【構成】本発明の気相分解装置は、開口を有する弗酸水溶液容器の内部を加熱するための加熱手段と、処理対象物を載置し、冷却するための冷却手段と、弗酸ガスを対象物上に供給するため、前記容器の開口に接続された弗酸水溶液側ガス供給系と、前記弗酸水溶液側ガス供給系と、前記冷却手段の上部とを接続し、弗酸ガスを対象物上に供給するための対象物側ガス供給系とを有する。

請求項（抜粋）：

弗酸水溶液を加熱して弗酸水蒸気を発生させる工程と、前記弗酸水蒸気を冷却した対象物上に供給し、対象物表面のSiO2 膜をエッチングする工程とを含む気相分解方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , C01B 33/12 , C04B 41/91 , H01L 21/302 , H01L 21/304 341 , C23F 1/12

引用特許：

審査官引用 (9件)

基板表面の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336307 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開平2-192750
特開平4-134818

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