オーミック電極の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-295174
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144622
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は、低接触抵抗かつ高耐熱性を有するオーミック電極を、基板面内の均一性およびロット間の均一性良く製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 III-V族化合物半導体基板1に対してN型不純物となる第1の元素からなる薄膜6、前記III-V族化合物半導体と金属との間のエネルギー障壁の高さを低下させる第2の元素からなる薄膜5、および前記第1の元素との反応により高融点合金を形成する第3の元素からなる薄膜4を、前記III-V族化合物半導体基板1上に、第3の元素からなる薄膜4、第2の元素からなる薄膜5、第1の元素からなる薄膜6の順に積層する工程と、これらの薄膜が形成されたIII-V族化合物半導体基板を還元性ガス雰囲気中で熱処理する工程とを有することを特徴とするオーミック電極の製造方法。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体基板に対してN型不純物となる第1の元素からなる薄膜、前記III-V族化合物半導体と金属との間のエネルギー障壁の高さを低下させる第2の元素からなる薄膜、および前記第1の元素との反応により高融点合金を形成する第3の元素からなる薄膜を、前記III-V族化合物半導体基板上に、第3の元素からなる薄膜、第2の元素からなる薄膜、第1の元素からなる薄膜の順に積層する工程と、これらの薄膜が形成されたIII-V族化合物半導体基板を還元性ガス雰囲気中で熱処理する工程とを有することを特徴とするオーミック電極の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/28 301 H , H01L 29/205 , H01L 29/72 , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (5件)

オーミック電極およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078974 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-274623
特開昭63-174318

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