特許
J-GLOBAL ID：200903067680140165
流量算出ツール及び流量算出方法並びに半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
油井 透
, 阿仁屋 節雄
, 清野 仁
, 福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-133772
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283641
出願日： 2008年05月22日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】 回路パターンの有無や形状によらず、テスト成膜1回のみで、且つテストウエハの枚数を25枚程度以下で、ローディング効果を補正可能とする。【解決手段】 少数枚の基板を処理室内に収容し、処理室内の一端側からメインノズルより第1ガスと第2ガスとを成膜工程と同じ流量で供給して他端側に向かって流し、少数枚の基板に対してテスト成膜することで少数枚の基板に形成された膜の膜厚値を入力する入力部と、テスト成膜時にメインノズルより供給する少なくとも第2ガスの流量値を入力する入力部と、成膜時に複数枚の基板に形成される膜の膜厚が基板配列方向で同等となるような各サブノズルより供給する第2ガスの流量値を算出する算出部と、算出された流量値を出力する出力部と、を有する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
複数枚の基板が配列された処理室内の基板配列領域の一端側からメインノズルより第1ガスと第2ガスとを供給して前記基板配列領域の他端側に向かって流すと共に、前記基板配列領域における複数箇所からも複数のサブノズルより前記第2ガスを供給して前記他端側に向かって流すことで、前記複数枚の基板に対して成膜するに際し、前記成膜時に供給するガスの流量を算出する流量算出ツールであって、
前記成膜時に一度に処理する基板枚数よりも少ない少数枚の基板を前記処理室内に収容し、前記処理室内の前記一端側から前記メインノズルより前記第1ガスと前記第2ガスとを前記成膜工程と同じ流量で供給して前記他端側に向かって流し、前記少数枚の基板に対してテスト成膜することで前記少数枚の基板に形成された膜の膜厚値を入力するテスト成膜膜厚入力部と、
前記テスト成膜時に前記メインノズルより供給する少なくとも前記第2ガスの流量値を入力する流量入力部と、
前記テスト成膜膜厚入力部に入力された前記膜厚値および前記流量入力部に入力された前記流量値に基づき、前記成膜時に前記複数枚の基板に形成される膜の膜厚が前記基板配列方向で同等となるような前記各サブノズルより供給する前記第2ガスの流量値を算出する流量算出部と、
前記流量算出部で算出された前記流量値を出力する流量出力部と、
を有することを特徴とする流量算出ツール。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AC11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AE19
, 5F045AF03
, 5F045BB03
, 5F045BB08
, 5F045DP19
, 5F045EF02
, 5F045EF08
, 5F045EF09
, 5F045EK06
