特許
J-GLOBAL ID：200903067705215939
第二高調波発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050739
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242499
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】基本波を発振する半導体レーザーと、基本波を第二高調波へと変換する光導波路を備えた変換用基板と、光導波路の温度を制御する手段とを備えたデバイスにおいて、第二高調波の出力の経時的な減少を防止する。【解決手段】第二高調波発生装置11Aは、ヒートシンク6、ヒートシンク6の上に支持されているマウント、マウントに支持されている、基本波を発振する半導体レーザー1、マウントに支持されている、基本波を第二高調波へと変換する光導波路を備えた変換用基板2、および光導波路の温度を制御するための温度制御手段8を備えている。マウントは熱伝導部4、5と断熱部3Aとを備えている。半導体レーザー1が熱伝導部4、5を介してヒートシンク6上に支持されている。変換用基板2とヒートシンク6との間に少なくとも断熱部3Aが介在している。
請求項（抜粋）：
ヒートシンク、このヒートシンクの上に支持されているマウント、前記マウントに支持されている、基本波を発振するための半導体レーザー、前記マウントに支持されている、前記基本波を第二高調波へと変換するための波長変換用光導波路を備えた変換用基板、および前記波長変換用光導波路の温度を制御するための温度制御手段を備えており、前記マウントが熱伝導部と断熱部とを備えており、前記半導体レーザーが前記熱伝導部を介して前記ヒートシンク上に支持されており、前記変換用基板と前記ヒートシンクとの間に少なくとも前記断熱部が介在していることを特徴とする、第二高調波発生装置。
IPC (3件)：
G02F 1/377
, H01S 5/026
, H01S 5/068
G02F 1/377
, H01S 5/026
, H01S 5/068
2K002AB12
, 2K002CA03
, 2K002DA03
, 2K002EA22
, 2K002EA30
, 2K002EB15
, 2K002HA20
, 5F073AB21
, 5F073AB23
, 5F073EA03
, 5F073FA06
, 5F073FA15
, 5F073FA22
