特許

J-GLOBAL ID：200903067712443084

基板の熱処理方法及び熱処理装置

発明者： 井出 勝也 ,  吉田 俊明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069144
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274498
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 基板の特性を安定化することのできる熱処理方法を提供する。【解決手段】 半導体薄膜を形成した基板に対して、水蒸気アニール工程とドライアニール工程を所定温度で一連に行なうようにした。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜が形成された基板を反応炉に配置し、該反応炉に第1のガスを供給し水蒸気アニールを行い、前記水蒸気アニール工程後該反応炉に第2のガスを供給しドライアニールを行うことを特徴とする基板の熱処理方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 29/78 627 F ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/324 X

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-033935
  
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253825   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭64-033935
  
• 特開昭64-033935
  
• 特開平4-100238