特許
J-GLOBAL ID：200903067733460159

半導体製造装置

発明者：
本多 祐二

本多 祐二 について

, 
腰前 伸一

腰前 伸一 について


出願人/特許権者：
株式会社ユーテック

株式会社ユーテック について


代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282364
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119766
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】装置を小型化及び軽量化した半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体製造装置は、真空容器1と、この真空容器1の上部に配置された、電極としての機能を有するチャンバー蓋2と、このチャンバー蓋2の内部に設けられたガス導入経路9と、チャンバー蓋2の下面にライナー10a,10bを介して配置されたガス分散板11,12と、このガス分散板に形成された複数の貫通孔と、真空容器1内にチャンバー蓋2に対向するように配置された、被処理基板を載置するステージ電極4と、を具備する。この半導体製造装置は、ガス導入経路9、複数の貫通孔を通してステージ電極4上にシャワー状のガスを導入し、プラズマを発生させることにより被処理基板を処理するものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空容器と、 この真空容器の上部に配置された、電極としての機能を有するチャンバー蓋と、 このチャンバー蓋の内部に設けられたガス導入経路と、 チャンバー蓋の下面にライナーを介して配置されたガス分散板と、 このガス分散板に形成された複数の貫通孔と、 真空容器内にチャンバー蓋に対向するように配置された、被処理基板を載置するステージ電極と、 を具備し、 ガス導入経路、複数の貫通孔を通してステージ電極上にシャワー状のガスを導入し、プラズマを発生させることにより被処理基板を処理することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  C23C16/455 ,  H01L21/205
Fターム (20件)：
4K030EA08 ,  4K030FA03 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB28 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EG01 ,  5F045EH13
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-037717
  • 高コンダクタンスのプラズマ封じ込め構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-297995   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
  • プラズマ反応器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-127862   出願人：ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト

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