特許
J-GLOBAL ID:200903082522808069
プラズマ反応器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-127862
公開番号(公開出願番号):特開2002-075692
出願日: 2001年04月25日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【課題】 向上したRFプラズマ反応器のプラズマ放電空間へのシャワーヘッドガス注入技術を提供する。【解決手段】 RFプラズマ反応器(30)は、反応器槽を含み、その中の1対の電極は、間隔をあけて向き合って配置されてその間にプラズマ放電空間(36)が規定される金属表面からなり、金属表面のうち少なくとも1つは、貫通する多数のガス給送開口部を有する金属表面のプレート(40)であり、該開口部は、放電空間に面するプレートに沿って延在する分散室から、金属表面を通って、放電空間に向かい、それにより分散室は、プレートに向き合って離れた後壁を有し、かつ多数のガス注入開口部を備えたガス注入構成を含み、これは後壁に沿って分散され、かつ反応器への少なくとも1つのガス給送線に接続される。
請求項(抜粋):
プラズマ反応器であって、反応器槽を含み、その中の1対の電極は、間隔をあけて向き合って配置され、かつその間にプラズマ放電空間が規定される金属表面からなり、前記金属表面のうち少なくとも1つは、貫通する多数のガス給送開口部を有する金属表面のプレートであり、前記多数のガス給送開口部は、前記放電空間に面する前記プレートに沿って延在する分散室から、前記金属表面を通って前記放電空間に向かい、前記分散室は、前記プレートに向き合って離れた壁を有し、かつ、前記壁に沿って分散されて前記反応器への少なくとも1つのガス給送線に接続される多数のガス注入開口部を備えたガス注入構成を含む、プラズマ反応器。
IPC (6件):
H05H 1/46
, B01J 19/08
, B01J 19/24
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (6件):
H05H 1/46 M
, B01J 19/08 H
, B01J 19/24 Z
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/302 C
Fターム (34件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BA01
, 4G075BB08
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075CA16
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075EA01
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075EC30
, 4G075EE12
, 4G075EE34
, 4G075FA02
, 4G075FA03
, 4G075FB02
, 4G075FC15
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030KA12
, 4K030KA46
, 5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BB28
, 5F004BC03
, 5F045BB02
, 5F045BB20
, 5F045DP03
, 5F045EF05
引用特許:
出願人引用 (10件)
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平行平板電極型プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-159093
出願人:日本鋼管株式会社
-
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-142566
出願人:株式会社日立製作所
-
シャワープレート
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-078162
出願人:株式会社東芝
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-137685
出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
-
半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-215053
出願人:シャープ株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-031345
出願人:日本電気株式会社, アプライドマテリアルズジャパン株式会社
-
低圧化学蒸着装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-328475
出願人:黄哲周
-
プラズマ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-286329
出願人:東京エレクトロン山梨株式会社
-
プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-214009
出願人:三菱重工業株式会社
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-140031
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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審査官引用 (10件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-140031
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-031345
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公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-215053
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公報種別:公開公報
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出願人:黄哲周
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プラズマ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-286329
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出願番号:特願平5-214009
出願人:三菱重工業株式会社
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平行平板電極型プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-159093
出願人:日本鋼管株式会社
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-142566
出願人:株式会社日立製作所
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シャワープレート
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-078162
出願人:株式会社東芝
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-137685
出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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