特許
J-GLOBAL ID：200903067758620673
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-200869
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338626
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 IGBTにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧-ターンオフ損失のトレードオフ特性およびRBSOAを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。【解決手段】 基板比抵抗をρ、ブレークダウン電圧をBVとすると、ρ>(BV/30)4/3×0.75とし、基板比抵抗を750Ωcm以上、好ましくは750Ωcm以上1250Ωcm以下とする。また、バッファ層を有するIGBTにおいて、順方向にブレークダウン電圧が印加されたときに電界がかからない領域では、順方向導電時の少数キャリア濃度が当該領域の不純物濃度よりも高くなる構成とする。また、順方向導電時の少数キャリア濃度が、ウェル領域からコレクタ層にわたって、少なくとも一部の半導体基板またはバッファ層の不純物濃度よりも高い構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の比抵抗をρ[Ωcm]とし、ブレークダウン電圧をBV[V]とすると、ρ>(BV/30)4/3×0.75であることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78 652
H01L 29/78 655 B
, H01L 29/78 652 H
