特許

J-GLOBAL ID：200903067769126875

固体撮像装置

発明者： 田 中 長 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-305720
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120787
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 斜め光を入射させる際に配線層が光路の妨げとならず感度が向上し、また画素間クロストークの発生を防止することが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】 半導体基板10の表面部分に形成されたフォトダイオードPD、フォトダイオードPD上に形成された第1の絶縁膜12、第1の絶縁膜12上に形成された第2の絶縁膜21、第2の絶縁膜21上に形成された第3の絶縁膜22、第3の絶縁膜22上に形成されたマイクロレンズMLを備え、第1の絶縁膜12と第2の絶縁膜21との界面に第1のレンズL1が形成され、第2の絶縁膜21と第3の絶縁膜22との界面に第2のレンズL2が形成され、第1のレンズL1は第1の絶縁膜12と第2の絶縁膜21との界面からフォダイオードPD側に焦点を有し、第2のレンズL2は第2の絶縁膜21と第2の絶縁膜22との界面からマイクロレンズML側に焦点を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部分に形成されたフォトダイオードと、 前記フォトダイオードの上方に形成された屈折率n1を有する第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成された屈折率n2を有する第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上に形成された屈折率n3を有する第3の絶縁膜と、 前記第3の絶縁膜上に形成された屈折率n4を有するマイクロレンズと、 を備え、 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との界面に第1のレンズが形成され、 前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜との界面に第2のレンズが形成され、 前記第1のレンズは、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との界面から前記フォダイオード側に焦点を有し、 前記第2のレンズは、前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜との界面から前記マイクロレンズ側に焦点を有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/023

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L31/02 D

Fターム (32件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX12 ,  5C024GY01 ,  5C024JX21 ,  5F088AA01 ,  5F088AB02 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088CB10 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA12 ,  5F088HA20 ,  5F088JA12 ,  5F088JA13 ,  5F088KA03 ,  5F088KA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-122866   出願人：松下電子工業株式会社