非晶質半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310468
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138384
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【目的】界面特性の向上した光起電力素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板1上に、相隣接して配された、互いに異なる導電型を有する非晶質半導体層3,4を備える非晶質半導体素子であって、相隣接する前記非晶質半導体層3,4の隣接界面に、相隣接する非晶質半導体層のうち前記基板1側に配された非晶質半導体層3における主構成元素の自然酸化物層bを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、相隣接して配された、互いに異なる導電型を有する非晶質半導体層を備える非晶質半導体素子であって、相隣接する前記非晶質半導体層の隣接界面に、相隣接する非晶質半導体層のうち前記基板側に配された非晶質半導体層における主構成元素の自然酸化物層を設けたことを特徴とする非晶質半導体素子。

Fターム (5件)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA15 , 5F051DA04 , 5F051DA18

引用特許：

審査官引用 (8件)

光起電力装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-149047 出願人：三洋電機株式会社
特開昭63-127584
特開昭59-000972

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