半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051965
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256390
出願日： 1997年03月06日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】シリサイド膜を有する半導体装置の製造方法に関し、少ない工程数でマスクを形成できると共に、シリサイド反応の際に半導体素子の性能低下を招く危険性の低いシリサイド作り分け方法を提供する。【解決手段】デバイス構造を有し、少なくとも一部に露出したシリコン表面を有する半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板上に、前記露出したシリコン表面を覆って高融点金属の窒化膜を形成する工程と、少なくとも前記シリコン表面上の窒化膜の一部を選択的に除去し、前記シリコン表面の一部を露出すると共に前記シリコン表面の他の部分を覆う窒化膜パターンを形成する工程と、前記窒化膜パターンを覆って半導体基板上に高融点金属膜を形成する工程と、熱処理を行って、前記シリコン表面の一部とその上の高融点金属膜との間でシリサイド反応を生じさせる工程と、未反応の高融点金属膜およびその下の窒化膜パターンを除去する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

デバイス構造を有し、少なくとも一部に露出したシリコン表面を有する半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板上に、前記露出したシリコン表面を覆って高融点金属の窒化膜を形成する工程と、少なくとも前記シリコン表面上の窒化膜の一部を選択的に除去し、前記シリコン表面の一部を露出すると共に前記シリコン表面の他の部分を覆う窒化膜パターンを形成する工程と、前記窒化膜パターンを覆って半導体基板上に高融点金属膜を形成する工程と、熱処理を行って、前記シリコン表面の一部とその上の高融点金属膜との間でシリサイド反応を生じさせる工程と、未反応の高融点金属膜およびその下の窒化膜パターンを除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/08 102 E , H01L 21/28 301 T , H01L 21/90 C , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186746 出願人：日本電気株式会社
特開平3-248536
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-046776 出願人：日本電装株式会社

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