特許
J-GLOBAL ID：200903067821668509
スパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247307
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055762
出願日： 2001年08月16日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：
【要約】【課題】 初期アークの発生を防止し、初期安定性が著しく向上し、低コストで製造することができるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 100μsec以下のパルス幅で出力されたレーザにより表面処理を施すことにより、研削等の加工時に生じるバリや研削粉、さらにはちりやゴミが昇華等することにより除去されるためか、ターゲットの使い始めに生じる初期アークを著しく低減することができ、初期安定性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
100μsec以下のパルス幅で出力されたレーザにより表面処理を施したものであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 B
, C04B 41/80 A
4K029BA45
, 4K029BA47
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC07
, 4K029DC12
