特許
J-GLOBAL ID：200903091498565060

ITOスパッタリングターゲットおよび同ターゲットのクリーニング方法

発明者：
斎藤 亨

斎藤 亨 について

, 
熊原 吉一

熊原 吉一 について

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久保山 且也

久保山 且也 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293151
公開番号（公開出願番号）：特開平11-117062
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 ターゲットの表面に付着しているITO研削粉を除去してターゲット表面の清浄度を高め、スパッタリングによるノジュールの発生がなく、異常放電やパーティクルが生じにくいITOスパッタリングターゲットおよび同ターゲットのクリーニング方法を得る。【解決手段】 ITO焼結ターゲットのスパッタ面を多重発振超音波洗浄するかまたはスパッタ面に粘着テープを貼り十分擦り付けた後、該粘着テープを剥がし、スパッタ面に付着している粒子を粘着テープの引き剥がしとともに除去して、スパッタ面の100μm×100μmのエリアに存在する平均直径0.2μm以上の付着粒子の数を400個以下とする。
請求項（抜粋）：
スパッタされる表面の100μm×100μmのエリアに存在する平均直径0.2μm以上の付着粒子の数が400個以下であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/00
FI (4件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/00 B ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/00 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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