特許
J-GLOBAL ID：200903067833922249

フィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物、その製造方法及びこのCoSb3基化合物を含有する熱電変換材料

発明者：
寺岡 努

寺岡 努 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049309
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255561
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：
【要約】【課題】 熱電材料における従来材料の持つ問題点、すなわち熱伝導率が高く熱電性能が実用的でない点と原料資源の供給上の問題点を解決し、原料資源が豊富な材料を使用して低コストプロセスにより、熱伝導率を低減した優れた熱電性能を示す熱電変換材料、なかでも、熱電性能が優れ、かつ低コストの熱電変換材料であるスクッテルダイト型結晶構造をもつCoSb3基材料の提供。【解決手段】 スクッテルダイト型結晶構造を持つCoSb3基化合物の空格子に元素を充填したフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物において、前記充填元素が該元素の酸化物、Co元素、Sb元素、Co元素および/又はSb元素の置換元素の固相反応法によってCoSb3基化合物の空格子に充填されたものであることを特徴とするフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物とする。
請求項（抜粋）：
スクッテルダイト型結晶構造を持つCoSb3基化合物の空格子に元素を充填したフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物において、前記充填元素が該元素の酸化物、Co元素、Sb元素、Co元素および/又はSb元素の置換元素の固相反応法によってCoSb3基化合物の空格子に充填されたものであることを特徴とするフィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物。
IPC (3件)：
C01G 51/00 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/34
FI (3件)：
C01G 51/00 C ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/34
Fターム (5件)：
4G048AA01 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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