特許

J-GLOBAL ID：200903067876315761

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小川 哲也 ,  時岡 秀忠 ,  森川 和敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156649
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347210
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 レーザアニール処理によって多結晶シリコン膜に異方性を生じないようにする薄膜半導体装置の製造方法およびその製造方法によって製造された薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】 基板12上に非晶質シリコン膜5を成膜した後、固体レーザ発振装置21を光源とするパルスレーザ光LBにより、非晶質シリコン膜をレーザアニール処理する際に、パルスレーザ光を、直線偏光状態および楕円偏光状態のいずれかにして、かつ矩形断面11のレーザビームにして、その直線偏光方向または楕円偏光の長軸方向を矩形断面11の長辺方向に揃えて、非晶質シリコン膜5に照射する。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜を成膜した後、固体レーザ発振装置を光源とするパルスレーザ光により、前記半導体膜をレーザアニール処理する際に、前記パルスレーザ光を、直線偏光状態および楕円偏光状態のいずれかにして、かつ矩形断面のレーザビームにして、その直線偏光方向または楕円偏光の長軸方向を前記矩形断面の長辺方向に揃えて、前記半導体膜に照射する、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (19件)：

5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052DA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110DD30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245775   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所