特許

J-GLOBAL ID：200903087407899184

半導体装置の作製方法

発明者： 志賀 愛子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245775
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057344
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 結晶粒の位置と大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をTFTのチャネル形成領域または活性層に用いることにより、高速動作の可能なTFTを実現させることを目的とする。【解決手段】非晶質半導体膜上にレーザビームに対して反射防止効果を有する膜厚である絶縁膜を形成する。前記絶縁膜を選択的にエッチングし、前記非晶質半導体膜が前記絶縁膜に覆われている第1の領域および露出している第2の領域を形成する。その後、基板の表面側または、表面側および裏面側の両方側から同時にレーザビームを照射する。前記第1の領域および前記第2の領域における非晶質半導体膜に対する前記レーザビームの実効的な強度分布が生じ、非晶質半導体膜中に温度勾配が生じる。このようにして、結晶核の発生場所と方向を制御し、大粒径の結晶粒を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上にTFTを設けた半導体装置の作製方法において、非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を選択的にエッチングして、前記非晶質半導体膜が前記絶縁膜に覆われている第1の領域と、前記非晶質半導体膜が露出している第2の領域を形成する工程と、前記非晶質半導体膜にレーザビームを照射して結晶化させる工程と、を有し、前記TFTのチャネル形成領域は、前記第2の領域に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20

FI (7件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 A

Fターム (108件)：

2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092PA06 ,  5C094AA43 ,  5C094AA45 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094HA06 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052FA19 ,  5F052FA27 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP11 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-067775   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭61-166074
  
• 特開平2-122631
  
• 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-202376   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所