特許
J-GLOBAL ID:200903067877110047
キセノン照射装置とそれを用いた物体表面改質装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-101608
公開番号(公開出願番号):特開平7-288109
出願日: 1994年04月15日
公開日(公表日): 1995年10月31日
要約:
【要約】【目的】 放射の中心波長が172nm付近の真空紫外光の照度が大きく、照度分布がよく、照射面積の大きい平面照射装置を提供すること、さらに該照射装置を使用した物体表面処理方法を提供する。【構成】 少なくとも一部が紫外エキシマ光を取り出す窓部材から構成された概略円筒状の放電容器に、誘電体バリア放電によってエキシマを形成するキセノン、もしくはキセノンを主成分とする放電用ガスを満した誘電体バリア放電ランプを、少なくとも一部が偏平な紫外エキシマを光を取り出す窓部材で前方をおおった匡体内に、ヘリウム、ネオン、クリプトン、アルゴン、キセノン、水素、窒素から選択された少なくとも一種のガスとともに配置する。
請求項(抜粋):
少なくとも一部が紫外エキシマ光を取り出す窓部材から構成された概略円筒状の放電容器に、誘電体バリア放電によってエキシマを形成するキセノン、もしくはキセノンを主成分とする放電用ガスを充した誘電体バリア放電ランプを、少なくとも一部が偏平な紫外エキシマ光を取り出す窓部材で前方をおおった匡体内に、ヘリウム、ネオン、クリプトン、アルゴン、キセノン、水素、窒素から選択された少なくとも一種のガスとともに配置してなることを特徴とするキセノン照射装置。
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平3-201358
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特開昭63-175828
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特開昭63-062232
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