特許
J-GLOBAL ID：200903067877725416
ゲスト分子の溶解度特性を利用したハイドレートの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
森 治
, 林 清明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-280428
公開番号（公開出願番号）：特開2004-113926
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】ハイドレート生成率を大幅に引き上げるとともに、その生成時間を短縮し、かつ自動化に適した連続生成をすることができるハイドレートの製造方法を提供すること。【解決手段】ハイドレートを形成するゲスト分子に高圧低温下で水分子を反応させることによりハイドレートを生成するハイドレートの製造方法において、ゲスト分子をハイドレート非生成温度域で高圧水に飽和濃度付近まで溶解させるとともに、ゲスト分子が溶解した高圧水をハイドレート生成温度域まで冷却する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ハイドレートを形成するゲスト分子に高圧低温下で水分子を反応させることによりハイドレートを生成するハイドレートの製造方法において、ゲスト分子をハイドレート非生成温度域で高圧水に飽和濃度付近まで溶解させるとともに、該ゲスト分子が溶解した高圧水をハイドレート生成温度域まで冷却することを特徴とするハイドレートの製造方法。
IPC (3件)：
B01J19/00
, B01J3/00
, C10L3/06
B01J19/00 A
, B01J3/00 A
, C10L3/00 A
4G075AA03
, 4G075AA04
, 4G075AA62
, 4G075BA10
, 4G075CA03
, 4G075CA65
, 4G075DA01
, 4G075EB01
