銅回路接合基板及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127034
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323618
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】半導体素子やリードフレーム等のセラミック基材への実装時や使用時に、熱応力による基板の破損や反りがなく、接合強度が高く、ハイパワーモジュールにも適用できる信頼性の高い銅回路接合基板を提供する。【解決手段】セラミック基材1の片面上又は両面上に順に設けた、高融点金属層2と、ニッケルと銅の少なくとも1種を主成分とする金属介在層3と、銅を主体とする導体層4とを備え、金属介在層3の平面方向の長さ及び幅が高融点金属層2のそれらより0.05mm以上短く、金属介在層3の外周端縁が高融点金属層2の外周端縁の内側にあり、且つ導体層4の外周端縁が金属介在層3の外周端縁上にあるか又はその内側にある。

請求項（抜粋）：

セラミック基材と、セラミック基材の片面上又は両面上に該基材側から順に設けた、主に高融点金属からなる高融点金属層と、ニッケル、銅の少なくとも1種を主成分とする少なくとも1層の金属介在層と、銅を主体とする導体層とを備えた銅回路接合基板であって、前記高融点金属層と金属介在層との接合界面における金属介在層の平面方向の長さ及び幅が高融点金属層のそれらより0.05mm以上短く、該金属介在層の外周端縁が高融点金属層の外周端縁の内側にあり、且つ前記導体層の外周端縁が金属介在層の外周端縁上にあるか又はその内側にあることを特徴とする銅回路接合基板。

IPC (3件)：

H01L 23/14 , H05K 1/09 , H05K 3/38

FI (3件)：

H01L 23/14 M , H05K 1/09 C , H05K 3/38 C

Fターム (51件)：

4E351AA09 , 4E351AA12 , 4E351BB01 , 4E351BB30 , 4E351BB31 , 4E351BB35 , 4E351BB38 , 4E351CC06 , 4E351CC07 , 4E351CC08 , 4E351CC09 , 4E351CC12 , 4E351CC23 , 4E351CC31 , 4E351CC33 , 4E351DD04 , 4E351DD17 , 4E351DD19 , 4E351DD28 , 4E351DD47 , 4E351DD52 , 4E351EE10 , 4E351EE11 , 4E351GG01 , 4E351GG02 , 4E351GG04 , 5E343AA02 , 5E343AA23 , 5E343BB13 , 5E343BB17 , 5E343BB24 , 5E343BB39 , 5E343BB40 , 5E343BB44 , 5E343BB57 , 5E343BB67 , 5E343BB72 , 5E343BB73 , 5E343BB75 , 5E343BB78 , 5E343CC07 , 5E343DD02 , 5E343DD22 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343DD64 , 5E343ER23 , 5E343ER37 , 5E343ER39 , 5E343ER57 , 5E343GG16

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-336830 出願人：住友電気工業株式会社

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