特許

J-GLOBAL ID：200903067903883521

量子ドットを有する半導体光装置

発明者： 江部 広治 ,  中田 義昭 ,  秋山 知之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246175
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087749
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】TMモードの光と相互作用することのできる、引張り歪みを持つ量子ドットを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体光装置は、第1の格子定数を有する第1の半導体の表面を有する基板と、前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体で形成された第1種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層とを有する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第1の格子定数を有する第1の半導体の表面を有する基板と、 前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体で形成された第1種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層と を有する半導体光装置。

IPC (6件)：

H01S5/50 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

FI (7件)：

H01S5/50 ,  H01S5/026 618 ,  H01S5/20 610 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/343 610

Fターム (9件)：

5F073AA04 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138557   出願人：富士通株式会社
• 量子ドット構造の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-318832   出願人：日本電気株式会社