特許
J-GLOBAL ID：200903067903883521

量子ドットを有する半導体光装置

発明者：
江部 広治

江部 広治 について

, 
中田 義昭

中田 義昭 について

, 
秋山 知之

秋山 知之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246175
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087749
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】TMモードの光と相互作用することのできる、引張り歪みを持つ量子ドットを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体光装置は、第1の格子定数を有する第1の半導体の表面を有する基板と、前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体で形成された第1種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の格子定数を有する第1の半導体の表面を有する基板と、 前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有する第2の半導体で形成された第1種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層と を有する半導体光装置。
IPC (6件)：
H01S5/50 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343
FI (7件)：
H01S5/50 ,  H01S5/026 618 ,  H01S5/20 610 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/343 610
Fターム (9件)：
5F073AA04 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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