特許
J-GLOBAL ID:200903067920630238
研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
四宮 通
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-367876
公開番号(公開出願番号):特開2002-166360
出願日: 2000年12月04日
公開日(公表日): 2002年06月11日
要約:
【要約】【課題】 研磨状況のモニタのための測定光が研磨対象物に与える影響を、低減する。【解決手段】 ウエハ2の研磨中に、光源21から発した測定光をウエハ2に照射し、その反射光の分光強度をリニアセンサ31で検出する。信号処理部11は、センサ31からの検出信号に基づいて、ウエハ2の研磨状況をモニタし、ウエハ2の研磨終点を検出する。シャッタ機構制御部14は、信号処理部11からの研磨終点検出信号に応答して、シャッタ機構13のモータ13bを制御して、遮光部材13aを測定光の光路に進出させ、測定光をウエハ2に対して遮断する。
請求項(抜粋):
測定光を研磨対象物に照射し、前記測定光の照射により前記研磨対象物から得られる光に基づいて、前記研磨対象物の研磨状況をその研磨中にモニタする研磨状況モニタ方法において、前記研磨対象物の研磨終点が検出された後は、前記測定光を前記研磨対象物に対して遮断又は減光させることを特徴とする研磨状況モニタ方法。
IPC (4件):
B24B 49/12
, B24B 37/04
, G01B 11/06
, H01L 21/304 622
FI (4件):
B24B 49/12
, B24B 37/04 K
, G01B 11/06 Z
, H01L 21/304 622 S
Fターム (32件):
2F065AA30
, 2F065CC19
, 2F065FF15
, 2F065FF44
, 2F065FF67
, 2F065GG02
, 2F065GG03
, 2F065GG24
, 2F065JJ02
, 2F065JJ25
, 2F065LL30
, 2F065LL42
, 2F065LL53
, 2F065LL67
, 2F065NN02
, 2F065NN03
, 2F065NN20
, 2F065PP11
, 2F065QQ25
, 2F065QQ29
, 2F065SS11
, 3C034AA08
, 3C034AA13
, 3C034BB93
, 3C034CA05
, 3C034CA22
, 3C034CB01
, 3C058AA07
, 3C058AC02
, 3C058BA01
, 3C058CB01
, 3C058DA17
引用特許:
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