特許

J-GLOBAL ID：200903067925754512

半導体装置

発明者： 朝比奈 通雄 ,  竹内 淳一 ,  守屋 直弘 ,  松本 和己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351143
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156410
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 ビアホール内の導電物質としてアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用い、ボイドや断線などの発生がなく、ステップカバレッジが優れたコンタクト構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、MOS素子を含むシリコン基板11および多層の配線領域L1,L2を有する。第2層以上の配線領域の少なくとも1層は、熱処理によってガス化成分が除去された、酸化シリコンからなる層間絶縁膜I1,I2、層間絶縁膜に形成されたビアホール62、層間絶縁膜およびビアホールの表面に形成されたウェッテング層63、および、ウェッテング層の上に形成された、アルミニウムあるいはアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム膜65、を有する。層間絶縁膜とアルミニウム膜との境界領域に、ウェッテング層を構成する物質、ケイ素および酸素を含むアモルファス層が存在する。

請求項（抜粋）：

素子を含む半導体基板および多層の配線領域を有する半導体装置であって、第2層以上の配線領域の少なくとも1層は、熱処理によってガス化成分が除去された、酸化シリコンからなる層間絶縁膜、前記層間絶縁膜に形成されたビアホール、前記層間絶縁膜および前記ビアホールの表面に形成されたウェッテング層、および、前記ウェッテング層の上に形成された、アルミニウムあるいはアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム膜、を含み、前記層間絶縁膜と前記アルミニウム膜との境界領域に、前記ウェッテング層を構成する物質、ケイ素および酸素を含むアモルファス層が存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-272612   出願人：セイコーエプソン株式会社