特許

J-GLOBAL ID：200903067933096273

メモリー中に2つの金属酸化物半導体トランジスターを 備えるローカルワード線デコーダーのデコード方法及び その装置

発明者： 林 元泰 ,  ハワード・シイ・キルシュ
出願人/特許権者： 世界先進積體電路股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325855
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162175
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 ローカルワード線デコーダーのトランジスター数を削減して、半導体における占有面積を減少させる。【解決手段】 第1トランジスターおよび第2トランジスターを提供するステップと、第1入力信号および第2入力信号を提供するステップと、出力信号を提供するステップと、前記した第1入力信号に低電圧レベルを提供するとともに、この低電圧レベルを第2入力信号の低電圧レベルよりも低いものとするステップと、を具備するローカルワード線デコーダーのデコード方法により、トランジスター数を3個から2個に削減したローカルワード線デコーダーを構成する。

請求項（抜粋）：

第1トランジスターおよび第2トランジスターを提供するステップと、第1入力信号および第2入力信号を提供するステップと、出力信号を提供するステップと、前記第1入力信号に入力した低電圧レベルを提供し、この低電圧レベルを第2入力信号の低電圧レベルよりも低いものとするステップと、を具備したメモリー中に2つの金属酸化物半導体トランジスターを備えたことを特徴とするローカルワード線デコーダーのデコード方法。

IPC (3件)：

G11C 11/413 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/10 481

FI (3件)：

G11C 11/34 302 A ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 11/34 354 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ワードドライバ回路及びそれを利用したメモリ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-340615   出願人：富士通株式会社