スイッチングダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135311
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332263
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】スイッチングダイオードの逆回復時の跳ね上がり電圧を低減するか電圧波形の発振を防止してソフトスイッチング化し、順電圧の負の温度依存性を軽減するか又は正にする。【解決手段】ダイオードの低不純物濃度のnドリフト層6を、その主な境界が半導体基板表面に対してほぼ垂直になるように、キャリアライフタイムの長い領域6aと短い領域6bとに分割し、nドリフト層の水平断面においてキャリア寿命の長い領域の面積とキャリア寿命の短い領域の面積との比を5:1以上95:1以下とする。特に、キャリア寿命の長い領域6aの任意の一点からキャリア寿命の短い領域6bに達するまでの最長距離を、nドリフト層6の厚さ以下とする。更に、キャリア寿命の長い領域6aとキャリア寿命の短い領域6bとのキャリア寿命の比を100:1以上1000000:1以下ととし、またキャリア寿命の長い領域6aのキャリア寿命を1μs 以上とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板が第一導電型の低濃度層と、低濃度層の一方の主表面の表面層に形成された第二導電型アノード領域と、低濃度層の他方の主表面の表面層に形成された第一導電型で低濃度層よりも不純物濃度の高いカソード領域とからなり、アノード領域、カソード領域の表面にそれぞれ接触してアノード電極、カソード電極が設けられたスイッチングダイオードにおいて、第一導電型の低濃度層がキャリアのライフタイムの長さの異なる少なくとも二つの領域に分割されており、その主な境界が半導体基板表面に対して45度以上の角度で傾いており、低濃度層の水平断面においてキャリアライフタイムの長い領域の面積がキャリアライフタイムの短い領域の面積より広いことを特徴とするスイッチングダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 29/91 C , H01L 21/322 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭51-074586
特開昭57-207382
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-214670 出願人：日本インター株式会社

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