半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232684
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060608
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 MOSトランジスタのゲート長を正確に見積もる。【解決手段】ゲート長の異なるMOSトランジスタ3,4に電流を流し、そのトランジスタ3,4の閾値電圧の差dVtを測定する。

請求項（抜粋）：

ゲート長の異なるMOSトランジスタを組み合わせた測定パターンを用いて閾値電圧の差を得ることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/66 Y , H01L 21/66 V , H01L 27/08 102 C , H01L 29/78 301 T

Fターム (11件)：

4M106AB02 , 4M106AC02 , 4M106BA14 , 4M106CA32 , 5F040DA30 , 5F040DB01 , 5F040EA00 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048BB03 , 5F048BB15

引用特許：

審査官引用 (1件)

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