特許

J-GLOBAL ID：200903067955535092

半導体装置の製造方法

発明者： 中島 好史
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053497
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261050
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 従来、半導体ウエファのダイシングストリートを、ダイシングソーにより切断し、個々の半導体素子に分割している。化合物半導体はへき閾性が高いため、切断時のチッピングが多発しており、半導体素子の収率の低下や、ダイシングスピードを落として作業するため、作業効率が向上しないなどの問題があった。【解決手段】 ダイシングストリートの切削領域の両側に絶縁材料を埋設したトレンチを形成することにより、切削時の半導体素子領域へのひび、欠け等のダメージを高い確率で阻止する。チッピング防止のために余分なマージンを取る必要がなくなるため、ダイシングストリートを縮小でき、チップの取れ数が増加する。また、ダイシングスピードを上げられるので、作業効率を向上できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体ウエファのダイシングストリート上で切削領域の両側にトレンチを形成し、該トレンチに絶縁材料を埋設する工程と、前記切削領域を切削して個々の半導体素子に分割する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 21/78 F ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S

Fターム (10件)：

5F032AA35 ,  5F032AA49 ,  5F032AA50 ,  5F032CA05 ,  5F032CA06 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032CA16 ,  5F032DA10 ,  5F032DA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-128624   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-217942
  
• 半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-059790   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-217942