特許

J-GLOBAL ID：200903067964616747

半導体装置及びその製造方法

発明者： 足立 昌浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102472
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298327
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】保護膜の特性劣化や損傷がない。【構成】TFTを構成する構成要素としてのソース電極17およびドレイン電極18に、水素元素の含有および放出能力を有する金属または合金材料としてのTi2Cu膜17aを用いたため、Ti2Cu膜17aから活性水素を供給して、ゲート絶縁膜14と多結晶シリコン膜であるソース領域13aおよびドレイン領域13bとの界面および多結晶シリコン膜中に活性水素が入り、ダングリングボンドを終端することができ、従来、生じていた保護膜としての特性劣化や損傷はなくなる。

請求項（抜粋）：

ソース領域とドレイン領域の間に、多結晶シリコンよりなるチャネル部が設けられ、該チャネル部とで絶縁膜を挟持するゲート電極が設けられ、該ソース領域に接続したソース電極が設けられ、該ドレイン領域に接続したドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタ上を保護する保護膜が設けられた半導体装置において、該薄膜トランジスタの構成要素となる薄膜のうち少なくとも1層に、水素元素の含有および放出能力を有する金属または合金材料を含む構成とした半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-236462
  
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-187907   出願人：株式会社東芝
• 特開昭64-042635
  
• 特開平4-236462
  
• 特開昭64-042635