強誘電体薄膜素子ならびにセンサ、および強誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-072758
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267645
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】小型で優れた性能を有し、かつ、安価で加工が容易な強誘電体薄膜素子およびそれを用いたセンサとその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてSi基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。

請求項（抜粋）：

Si基板と、Si基板上に形成された薄膜積層体とを有する強誘電体薄膜素子であって、前記薄膜積層体は、Si基板上にエピタキシャル成長したバッファ層と、バッファ層上にエピタキシャル成長した金属薄膜からなる下部電極と、下部電極上に配向成長またはエピタキシャル成長した強誘電体薄膜と、強誘電体薄膜上に形成された上部電極とを有し、前記薄膜積層体の一部は、前記Si基板から浮かせるように配置されていることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (6件)：

H01L 41/08 , G01J 1/02 , G01P 15/09 , H01L 37/02 , H01L 41/18 , H01L 41/22

FI (7件)：

G01J 1/02 Y , G01P 15/09 , H01L 37/02 , H01L 41/08 D , H01L 41/08 Z , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/22 Z

Fターム (5件)：

2G065AB02 , 2G065BA02 , 2G065BA13 , 2G065BA14 , 2G065DA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

薄膜圧電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-139997 出願人：ティーディーケイ株式会社

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