薄膜圧電素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石井陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139997
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332569
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】従来に比べ桁違いに広帯域なFBARを実現できる薄膜圧電素子を提供する。【解決手段】 Si基板2上に、エピタキシャル膜である金属薄膜4を有し、この金属薄膜4上にPZT薄膜5を有し、このPZT薄膜5における原子比Ti/(Ti+Zr)が0.65から0.90の範囲にある薄膜圧電素子。

請求項（抜粋）：

Si基板上に、エピタキシャル膜である金属薄膜を有し、この金属薄膜上にPZT薄膜を有し、このPZT薄膜における原子比Ti/(Ti+Zr)が0.65から0.90の範囲にある薄膜圧電素子。

IPC (5件)：

H03H 9/17 , C30B 29/32 , H01L 41/09 , H01L 41/08 , H01L 41/187

FI (5件)：

H03H 9/17 F , C30B 29/32 A , H01L 41/08 U , H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 D

Fターム (12件)：

4G077AA03 , 4G077AA07 , 4G077AB02 , 4G077BC43 , 4G077DA01 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 5J108BB05 , 5J108CC04 , 5J108EE03 , 5J108KK01 , 5J108MM08

引用特許：

審査官引用 (3件)

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