特許
J-GLOBAL ID：200903067981786656

カーボンナノチューブ膜作製装置及びカーボンナノチューブ膜作製方法

発明者：
坂本 仁志

坂本 仁志 について

, 
小林 千香子

小林 千香子 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-184152
公開番号（公開出願番号）：特開2005-015870
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】方向や径が揃ったカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができ量産性に優れたカーボンナノチューブ膜作製装置とする。【解決手段】基板3が収容されるチャンバ1内をプラズマ化して塩素ガスのガスプラズマ19を発生させ、塩素ラジカルによりグラファイト製の被エッチング部材11をエッチングすることにより気相中に塩化炭素の前駆体を生成し、基板3側の温度を被エッチング部材11側の温度よりも低くすることで前駆体の炭素成分をカーボンナノチューブ膜として基板3に成膜させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板が収容されるチャンバと、 チャンバ内において基板に対向する位置に設けられる炭素材製の被エッチング部材と、 基板と被エッチング部材との間にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、 チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ、原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材の炭素成分と原料ガスとからなる前駆体を生成するプラズマ発生手段と、 基板の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることにより前駆体の炭素成分をカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させる温度制御手段と を備えたことを特徴とするカーボンナノチューブ膜作製装置。
IPC (2件)：
C23C16/26 ,  C01B31/02
FI (2件)：
C23C16/26 ,  C01B31/02 101F
Fターム (22件)：
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146BA02 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC41 ,  4G146CB16 ,  4G146CB17 ,  4G146DA16 ,  4G146DA25 ,  4G146DA41 ,  4K030AA03 ,  4K030BA27 ,  4K030BB00 ,  4K030EA01 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • 最新の炭素材料実験技術(分析・解析編)

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