特許
J-GLOBAL ID:200903067988273590
ホツトプレート
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-313295
公開番号(公開出願番号):特開平5-129210
出願日: 1991年11月01日
公開日(公表日): 1993年05月25日
要約:
【要約】【目的】 シリコンウェーハ等の試料の高精度かつ均一な高温加熱を可能としたホットプレートの提供。【構成】 熱分解窒化ほう素からなる基材(1)の一方の面に静電チャック用電極(2)が、他方の面に加熱用電極(3)がいずれも熱分解黒鉛で形成されてなり、しかも静電チャック用電極の給電部(4)と加熱用電極の給電部(5)を除く部分に熱分解窒化ほう素被覆膜(6)が施されてなることを特徴とするホットプレート。
請求項(抜粋):
熱分解窒化ほう素からなる基材(1)の一方の面に静電チャック用電極(2)が、他方の面に加熱用電極(3)がいずれも熱分解黒鉛で形成されてなり、しかも静電チャック用電極の給電部(4)と加熱用電極の給電部(5)を除く部分に熱分解窒化ほう素被覆膜(6)が施されてなることを特徴とするホットプレート。
IPC (5件):
H01L 21/205
, C23C 16/46
, H01L 21/31
, H01L 21/324
, H01L 21/68
引用特許:
審査官引用 (2件)
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基板の温度制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-247898
出願人:株式会社東芝
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特開平4-358074
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