特許
J-GLOBAL ID：200903067994110090
低摩擦単成分現像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-374893
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188413
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 望ましくない現像剤の劣化を防止し、安定したシステム性能を実現し維持するため低摩擦接触でトナーの摩擦帯電が可能な現像装置を提供する。【解決手段】 低摩擦単成分現像装置34は、供給用の現像剤粒子48が入っているサンプ49と、現像剤粒子を運んで現像ゾーンに通すドナー部材42を含む可動ドナー部材アセンブリと、サンプ内の現像剤粒子を帯電させて望ましい極性と電荷分布をもつ帯電した現像剤を生じさせるACバイアスとDCバイアスの第1組合せ70と、フリンジ電界を与えて帯電した現像剤粒子をドナー部材42の上に堆積させるACバイアスとDCバイアスの第2組合せ71と、潜像を現像するため現像ゾーンの中に現像剤のクラウドを形成する装置73と、現像ゾーンの上流に配置されていてドナー部材から間違った符号の帯電した現像剤粒子を静電気作用で取り除く静電フィルタゾーン80とを備えている。
請求項（抜粋）：
像形成表面上の静電潜像を現像する低摩擦単成分現像装置であって、(a) 供給用の現像剤粒子が入っているサンプと、(b) 前記サンプから現像剤粒子を運んで、像形成表面に隣接する現像ゾーンに通すドナー部材を包含する可動ドナー部材アセンブリと、(c) 前記サンプ内の現像剤粒子を帯電させて、望ましい極性と電荷分布をもつ帯電した現像剤を生じさせるACバイアスとDCバイアスの第1の組合せと、(d) フリンジ電界を与えて、前記帯電した現像剤粒子をドナー部材の上に堆積させるACバイアスとDCバイアスの第2の組合せと、(e) 潜像を現像するため、現像ゾーンの中に前記帯電した現像剤粒子のクラウドを形成する手段と、(f) 前記可動ドナー部材アセンブリの動きに対し現像ゾーンの上流に配置されていて、前記ドナー部材から間違った符号の帯電した現像剤粒子を静電気作用で取り除くことによって、前記サンプ内の現像剤粒子の望ましい極性と電荷分布を制御し、維持する静電フィルタゾーンとを備えていることを特徴とする現像装置。
IPC (5件)：
G03G 15/08 502
, G03G 15/08
, G03G 15/08 503
, G03G 15/01 113
, G03G 15/06 101
G03G 15/08 502 D
, G03G 15/08 502 E
, G03G 15/08 503 B
, G03G 15/01 113 A
, G03G 15/06 101
