特許

J-GLOBAL ID：200903067997391287

プラズマ処理装置

発明者： 出口 洋一 ,  川上 聡
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049993
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244144
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 プラズマ処理後の真空引きに要する時間を短縮できるとともに、残留電荷の発生を抑えて被処理体の損傷や破損を未然に防止することのできる構造を備えたプラズマ処理装置を提供することにある。【構成】 静電チャック40と被処理体50との間に熱伝達用気体を給排する手段を設け、この手段は、プラズマ処理中には給気状態に、そして、プラズマ処理後は排気状態にそれぞれ設定されることを特徴としている。従って、熱伝達用気体を排気することで被処理体と静電チャックとの間に水分が残留したりチャンバ内に残留することが防止されて被処理体の帯電防止そして真空引きの時間短縮が可能になる。

請求項（抜粋）：

載置台上に設けられた静電チャックにより半導体ウエハ等の被処理体を吸着保持するとともに、吸着保持されている被処理体の裏面に熱伝達用気体を充填する構造を備えたプラズマ処理装置において、常軌被処理体と静電チャックとの間に熱伝達用気体を給排する手段が設けられ、この給排手段は、プラズマ処理中には給気状態に設定され、プラズマ処理後に排気状態に設定されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-290225
  
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189253   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• 特開昭63-156321