特許
J-GLOBAL ID：200903068037647429
結晶質の窒化炭素膜を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
青木 秀實 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251873
公開番号（公開出願番号）：特開2000-072415
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：
【要約】【課題】 ECR(電子サイクロトロン共鳴)スパッタ法によって、窒素対炭素比(N/C比)が1を越える結晶質の窒化炭素膜を形成できる方法を提供する【解決手段】 黒鉛ターゲット7を、窒素を主成分とするECRプラズマによってスパッタする。その際、導入ガスには窒素含有ガスを用いる。ターゲット7に印下する負の直流電圧は250V以上、450V以下とする。基板10の電位を負の浮遊電位とし、この基板浮遊電位の絶対値が45V以上、65V以下の範囲となるようにプラズマ室1内のガス圧力を制御する。基板温度を400°C以上、1100°C以下とする。
請求項（抜粋）：
プラズマ室内にガスを流し、このプラズマ室の一端側からマイクロ波をプラズマ室へと導入し、同時にプラズマ室の周囲に配置したマグネットコイルでプラズマ室内に磁場を発生させることによって、プラズマ室内の少なくとも一部に電子サイクロトロン共鳴放電によるガスプラズマを発生させ、このガスプラズマ中の正電荷を帯びたガスイオンを、プラズマ室の他端側に設けた炭素含有ターゲットに衝突させることで炭素をスパッタリングし、前記ガスイオンとスパッタされた炭素とをターゲットの近傍に配置した基板表面に導いて結晶質の窒化炭素膜を形成する方法において、前記ガスが窒素を含み、前記ターゲットに印加する負の直流電圧を250V以上、450V以下とし、前記基板電位を浮遊電位とし、この基板浮遊電位が負電位であり、かつその絶対値が45V以上、65V以下の範囲となるようにプラズマ室内のガス圧力を制御し、基板温度を400°C以上、1100°C以下とすることを特徴とする結晶質の窒化炭素膜を形成する方法。
IPC (2件)：
C01B 21/082
, H01L 21/205
C01B 21/082 Z
, H01L 21/205
5F045AA10
, 5F045AB40
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045BB12
, 5F045DP03
, 5F045EH18
, 5F045EH20
出願人引用 (1件)
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磁気ディスク
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-115223
出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (1件)
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磁気ディスク
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-115223
出願人：日本電気株式会社
引用文献：
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