特許

J-GLOBAL ID：200903068063948860

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 加藤 忠弘 ,  笠原 裕夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-137519
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312989
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 低コストで高平坦な半導体ウェーハを製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ10の加工工程中に生成した表面加工変質層13をアルカリエッチングする前に、アルカリ溶液に対し比較的容易に溶解若しくは分解する流動体18を半導体ウェーハ10の表面11に付着させる。流動体18の付着方法は、半導体ウェーハ10を流動体18中に浸漬するか、若しくは半導体ウェーハ10の表面11に流動体18を塗布する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの加工工程中に生成した表面加工変質層をアルカリエッチングする工程を含む半導体ウェーハの製造方法において、アルカリエッチングを行う前に、アルカリ溶液に対し比較的容易に溶解若しくは分解する流動体を前記半導体ウェーハの表面に付着させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/308 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-042824
  
• 特開平4-199621
  
• シリコンウエハの損傷結晶領域除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-114853   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング